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全球存储器在20奈米以下遇瓶颈三星异军突起

来源: 时间:2015-05-13 阅读: 2040
       2014年三星存储器事业将以垂直堆叠为技术开发主轴,东芝亦于2014年第1季展开BiCS送样,可看出全球前两大NAND Flash厂于垂直堆叠NAND Flash发展脚步接近,且为因应制程微缩渐遇瓶颈,2014年此二家业者皆将加强发展NAND Flash垂直堆叠技术。全 球存储器在20奈米以下更先进制程微缩渐遇瓶颈,主因除投资金额庞大外,尚需视上游设备大厂ASML于极紫外光(Extreme Ultraviolet;EUV)曝光设备开发进展所致。尽管全球DRAM市场现仅剩三家大厂,但市场竞争依然剧烈,龙头厂三星电子(Samsung Electronics)为维持其于存储器产业的领先地位,已订立新品抢先上市、突破技术瓶颈,及强化核心竞争力等三大策略。
在新品抢先上市方面,三星已于 LPDDR2、3GB LPDDR3上市时间多次抢得先机,取得超额利润,三星将持续采取较竞争者领先推出新品的策略,2013年底三星与SK海力士(SK Hynix)同时发表8Gb LPDDR4,2014年三星计划尽早量产读写速度达3,200Mbps及采4颗20奈米级8Gb的4GB LPDDR4,以改善存储器产品组合,进而提振获利。
2013年三星领先业界将可读写次数较 少但成本较低的3bit MLC(TLC) NAND Flash,自记忆卡扩大应用至固态硬碟(Solid State Drive;SSD)、内嵌式多媒体卡(embedded MultiMedia Card;eMMC),并带动东芝(Toshiba)等业者跟进,2014年三星将持续朝TLC NAND Flash兼顾效能与低成本迈进。
在突破技术瓶颈方面,为持续提升效能与 容量,三星计划于20奈米制程的DRAM导入矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC等技术,其NAND Flash则以扩充TLC NAND应用及发展垂直堆叠V-NAND为重点,三星计划将V-NAND技术先用于需更大容量的企业级固态硬碟(enterprise SSD;eSSD),其订2014年V-NAND占三星eSSD位元出货比重逾6成目标。
另一方面,全球第二大NAND Flash厂东芝除跟进三星扩大TLC NAND Flash应用外,2014日本会计年度(2013年第2季至2014年第1季,以下简称年度)东芝已具备量产垂直堆叠架构NAND Flash「BiCS(Bit Cost Scalable)」的能力,其预定于日本四日市工厂第5栋Phase2正式量产BiCS NAND Flash,在此之前,东芝将推出1y及1z奈米制程技术,以提升其NAND Flash效能与容量。

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