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新型存储器比NAND快闪存储器更具成本竞争力

来源: 时间:2015-05-12 阅读: 1886

  致力于新存储器技术开发的风险企业 Unity Semiconductor公司,宣称已开发出一种可取代NAND快闪存储器的技术,为记忆卡和固态硬盘(SSD)提供了新的储存媒介选择。


  新技术称为CMOx,这种电阻变化式存储器比NAND快闪存储器更具成本竞争力,该公司希望利用它来切入现有的庞大存储器市场。 Unity已经在于今年2月举行的国际固态电路会议(ISSCC 2010)上提交论文,并在一次访谈中透露了其未来的计划。


  成本竞争力胜过NAND


  可以说Unity的CMOx象征着新型存储器将取代闪存储器和DRAM的转折点。此前,新型存储器的研发以存储器单元等要素技术层面为中心,但现在芯片级样品已经成为可能,甚至可望进行大规模的商业化部署。


  一个例子是采用垂直磁化技术的自旋注入式MRAM,这也是首度在ISSCC上揭露的产品。开发商日本的东芝公司似乎想要充份运用垂直磁化技术的优势,以取代现有的DRAM。


  发展新兴存储器技术以取代闪存,已进入了一个崭新阶段。很明显地,相变化存储器亟欲取代NOR闪存,而取代NAND闪存和DRAM的新兴技术也正在加速发展。


  相变存储器(PCM)则是在更早之前就已出现在ISSCC上,现在也取得了重大的技术进展。在 2010年ISSCC上,瑞士的恆忆公司(Numonyx)发布了1Gbit的PCM芯片,其芯片面积只有37.5mm2,为成为NOR快闪存储器替代品提供了可能性。该公司的人士表示,该芯片的规格是“基于传统的NOR快闪存储器规格,以位元为写入单位。”


  如果这些在ISSCC 2010上展示的新兴存储器的潜力与性能得以发挥,则庞大的存储器市场的主角会悄然改换一点也不足为奇。


  Unity公司制定的计划极具野心,从芯片面积就可明显看出该公司的目标。与在ISSCC上发表的最新的NAND闪存储器芯片的每Gbit芯片面积一比较就一清二楚了。


  在ISSCC 2010上公布的CMOx存储器(目标规格),和在ISSCC 2009中发表先进的NAND闪存的比较。后者包含Hynix的32Gbit元件、东芝/SanDisk的32Gbit元件;SanDisk/东芝的
64Gbit元件。相较之下,CMOx存储器显然具有优势。


  2009年,东芝和SanDisk公司在ISSCC上联合发表了一份最高密度的 NAND闪存芯片的论文。这款采用32nm制程技术的32Gbit芯片采用每单元3位元(3bit/cell)的多位元架构,并封装为一颗面积仅有 113mm2的芯片,每Gbit芯片面积仅3.53 mm2。


  而Unity在ISSCC 2010上所发表的64Gbit芯片则赋予了存储器芯片面积全新指标,即使采用45nm制程技术,芯片面积仅有123mm2。这款芯片的每 Gbit面积仅有1.92mm2,大约是上述最先进NAND闪存的一半。

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