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飞兆半导体推出两款中压MOSFET

来源: 时间:2015-05-12 阅读: 2091

  飞兆半导体推出两款中压MOSFET


  飞兆半导体推出了两款中压MOSFET,分别是FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。


  这两款中压MOSFET采用了极低RDS(ON)中压P沟道硅技术,优化得到较低的Qg,非常适合快速开关应用以及负载开关应用


  与一般的中压MOSFET相比,FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100
V具有更好的开关性能品质因数(FOM),比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。此外,其导通损耗减小了46%,开关损耗减小了38%。因此,设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。

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